SI5943DU-T1-GE3
|
MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK
|
Версия для печати
Технические характеристики SI5943DU-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 460pF @ 6V |
| Power - Max | 2.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Корпус | PowerPAK® ChipFet Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
