SI7909DN-T1-E3
|
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
|
Версия для печати
Технические характеристики SI7909DN-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
