SI7983DP-T1-GE3
|
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK 8SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики SI7983DP-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 12A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 600µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
