STS3DNE60L


Купить STS3DNE60L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STS3DNE60L MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики STS3DNE60L

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds815pF @ 25V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


STS3DNE60L datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход