BSO215C
|
MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Request inventory verification / Request inventory verification |
| Серия | SIPMOS® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 246pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
