MMDF2N02ER2

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMDF2N02ER2 (ON SEMICONDUCTOR.)	1 795	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики MMDF2N02ER2

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	532pF @ 16V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMDF2N02ER2 datasheet