NTHD2102PT1


Купить NTHD2102PT1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTHD2102PT1 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Версия для печати

Технические характеристики NTHD2102PT1

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Product Change NotificationDiscontinuance 11/Feb/2009
FET Type2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs58 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds715pF @ 6.4V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-ChipFET™
КорпусChipFET
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTHD2102PT1 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход