NTMD6P02R2SG


Купить NTMD6P02R2SG ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMD6P02R2SG MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики NTMD6P02R2SG

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationWire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 01/Oct/2008
FET Type2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.8A
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1700pF @ 16V
Power - Max750mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTMD6P02R2SG datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход