NTHD2102PT1G
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
NTHD2102PT1G (ON SEMICONDUCTOR.) |
6 934 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики NTHD2102PT1G
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 715pF @ 6.4V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 2.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
