NTHD2102PT1G


Купить NTHD2102PT1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTHD2102PT1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
NTHD2102PT1G (ON SEMICONDUCTOR.) 6 934 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTHD2102PT1G

Input Capacitance (Ciss) @ Vds715pF @ 6.4V
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs58 mOhm @ 3.4A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-ChipFET™
КорпусChipFET
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход