IPG20N06S3L-35
|
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
|
Версия для печати
Технические характеристики IPG20N06S3L-35
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 15µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| Power - Max | 30W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PG-TDSON-8-4 (5.15x6.15) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
