Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 220mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.4nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 27pF @ 25V |
Power - Max | 360mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
43
|
8.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
388 877
|
1.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
52 561
|
2.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
2 874
|
5.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
61 363
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
576
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
208
|
1.53
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
16 713
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 589 491
|
1.13
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
271 409
|
1.17
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
136 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
691 224
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
39 164
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 230
|
1.60
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
|
19 704
|
1.30
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
188
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
PHILIPS
|
164
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
139
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YJ
|
34 785
|
1.97
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YOUTAI
|
28 746
|
2.65
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
HOTTECH
|
7 676
|
1.84
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SUNTAN
|
224
|
2.52
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LGE
|
9 158
|
2.23
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
|
|
704.44
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
MAX987EUK+T |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
|
1
|
108.00
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PH/NXP
|
4
|
248.85
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
1
|
|
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
802
|
17.85
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
|
|
18.12
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
Microsemi Analog Mixed Signal Group
|
|
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
0.00
|
|
|
|
|
|
TL431AILP |
|
Источник опорного напряжения
|
ТI
|
|
|
|