Версия для печати
Технические характеристики FDV301N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	220mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.06V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9.5pF @ 10V
Power - Max	350mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

FDV301N (Мощные полевые МОП транзисторы) Digital Fet, N-channel Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FDV301N datasheet 100.52Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		B66359S2000X000			EPCOS
		B66359S2000X000				3	27.75
		B66359S2000X000			TDK-EPC	10 176	36.95
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		79 527	1.07
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	2.77
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	350 640	1.28
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	369 480	1.74
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	30 180	1.56
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	19 409	1.23
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	64 660	1.51
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES	3 824	2.32
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	4 500	1.02
		L-937EGW		Единичный светодиод 3мм, красный/зеленый, биполярный	KB	18 531	25.48
		L-937EGW		Единичный светодиод 3мм, красный/зеленый, биполярный	KINGBRIGHT
		L-937EGW		Единичный светодиод 3мм, красный/зеленый, биполярный	KGB	2 979	17.93
		L-937EGW		Единичный светодиод 3мм, красный/зеленый, биполярный		412	55.50
		L-937EGW		Единичный светодиод 3мм, красный/зеленый, биполярный	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		L-937EGW		Единичный светодиод 3мм, красный/зеленый, биполярный	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		L-937EGW		Единичный светодиод 3мм, красный/зеленый, биполярный	КИТАЙ
		MMBTA70LT1					30.00
		MMBTA70LT1			ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA70LT1			ON SEMICONDUCTOR
		TPS76333DBVR		Микросхема регулятор напряжения LDO 3.3В, (Vinmax=10V, Vout=3.3V, tol=2%, I=0.15A, ...	TEXAS INSTRUMENTS	4 001	31.50
		TPS76333DBVR		Микросхема регулятор напряжения LDO 3.3В, (Vinmax=10V, Vout=3.3V, tol=2%, I=0.15A, ...		7 904	25.49
		TPS76333DBVR		Микросхема регулятор напряжения LDO 3.3В, (Vinmax=10V, Vout=3.3V, tol=2%, I=0.15A, ...	TEXAS INSTRUMENTS	115
		TPS76333DBVR		Микросхема регулятор напряжения LDO 3.3В, (Vinmax=10V, Vout=3.3V, tol=2%, I=0.15A, ...	TEXAS INSTRUMEN
		TPS76333DBVR		Микросхема регулятор напряжения LDO 3.3В, (Vinmax=10V, Vout=3.3V, tol=2%, I=0.15A, ...	TEXAS	19 670	33.69
		TPS76333DBVR		Микросхема регулятор напряжения LDO 3.3В, (Vinmax=10V, Vout=3.3V, tol=2%, I=0.15A, ...	TEXASINSTRUMENTS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"