Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.3A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | PowerTrench® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 880pF @ 50V |
Power - Max | 2.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-WDFN Exposed Pad |
Корпус | 8-MLP (3.3x3.3) |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CDNBS08-SLVU2.8-4 | Bourns Inc | |||||||
CDNBS08-SLVU2.8-4 | BOURNS | |||||||
CDNBS08-SLVU2.8-4 | BOURNS | 140 | 48.43 | |||||
CDNBS08-SLVU2.8-4 | ||||||||
KPB-3025SURKCGKC | SMD индикатор | KB | ||||||
KPB-3025SURKCGKC | SMD индикатор | KINGBRIGHT | ||||||
KPB-3025SURKCGKC | SMD индикатор | KGB | 9 567 | 22.56 | ||||
KPB-3025SURKCGKC | SMD индикатор | 22.28 | ||||||
KPB-3025SURKCGKC | SMD индикатор | КИТАЙ | ||||||
MSP430F5528IRGCT | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
MSP430F5528IRGCT | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
MSP430F5528IRGCT | ||||||||
MSP430F5528IRGCT | TEXAS | |||||||
NFM18PS105R0J3D | MURATA | 179 | 5.90 | |||||
NFM18PS105R0J3D | MURATA | |||||||
NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America | |||||||
NFM18PS105R0J3D | MUR | 13 762 | 4.01 | |||||
NFM18PS105R0J3D | ||||||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS | 48 | 16.82 | ||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS SEMI | 9 944 | |||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | STMicroelectronics | ||||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA |
|