FDN5618P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
FDN5618P (FAIRCHILD.)	24	3-4 недели Цена по запросу
FDN5618P	7 120	8.42
FDN5618P (ONS)	2 772	25.92

Версия для печати

Технические характеристики FDN5618P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 1.25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.25A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	430pF @ 30V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mol

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SJ598	P-MOS 60V, 12A, 23W	NEC
2SJ598	P-MOS 60V, 12A, 23W			127.60
IRLR3717	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLR3717	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER	38
IRLR3717	Hexfet power mosfets discrete n-channel
IRLR3717	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTOR
NTD20P06LT4G		ONS
NTD20P06LT4G
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTOR
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTO
SI2302DS		PHILIPS
SI2302DS		NXP
SI2302DS		PHILIPS
SI2302DS
SI2302DS		NXP
STN3PF06	Транзистор	ST MICROELECTRONICS
STN3PF06	Транзистор	ST MICROELECTRONICS SEMI
STN3PF06	Транзистор	STMicroelectronics
STN3PF06	Транзистор
STN3PF06	Транзистор
STN3PF06	Транзистор	ST MICROELECTRO