FDN357N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDN357N (FAIRCHILD.)	930	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDN357N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	235pF @ 10V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDN357N (MOSFET)

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDN357N datasheet
90.6 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
06033A101KAT2A		AVX
06033A101KAT2A		AVX
06033A101KAT2A		AVX Corporation
06033A101KAT2A
BZX84-C5V1	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP
BZX84-C5V1	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	PHILIPS
BZX84-C5V1	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP	6 846
BZX84-C5V1	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	PHILIPS	30 963
MMBD914		FAIR
MMBD914			8	6.00
MMBD914		FAIRCHILD
MMBD914		INFINEON
MMBD914		FAIRCHILD	678
MMBD914		INFINEON	22
MMBD914		MCC
MMBD914		Fairchild Semiconductor
MMBD914		ONS-FAIR
MMBD914		PANJIT	32 000
RC0201FR-07100KL		YAGEO	67 525	0.70 >1000 шт. 0.14
RC0201FR-07100KL		YAGEO	5 713
RC0201FR-07100KL
RC0201FR-074K7L		YAGEO	471 473	0.70 >1000 шт. 0.14
RC0201FR-074K7L		YAGEO	12 307
RC0201FR-074K7L			64	3.78