RFP12N10L


Транзистор N-MOS 12A 100В LEВ

Купить RFP12N10L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
RFP12N10L
Версия для печати

Технические характеристики RFP12N10L

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 12A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds900pF @ 25V
Power - Max60W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

RFP12N10L

12a, 100v, 0.200 Ohm, Logic Level, N-channel Power Mosfet

Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com

RFP12N10L datasheet
41.95Kb
5стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход