FDMS3572

Версия для печати

Технические характеристики FDMS3572

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UltraFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 8.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2490pF @ 40V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-MLP, Power56
Корпус	Power56

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDMS3572 (MOSFET)

N-Channel UltraFET Trench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDMS3572 datasheet
521.5 Кб