NDP6060L

Версия для печати

Технические характеристики NDP6060L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 24A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	48A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2000pF @ 25V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NDP6060L (MOSFET)

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor

NDP6060L datasheet
360.5 Кб