|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
G30N60A4 |
|
Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
G30N60A4 |
|
Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.
|
|
|
835.20
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
|
|
152.00
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
11
|
73.94
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
|
|
33.60
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
BOURNS ELECTRON
|
|
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-221KL |
|
Индуктивность 220μH 0,7A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-221KL |
|
Индуктивность 220μH 0,7A 8,7x12mm
|
|
|
54.00
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
6
|
22.05
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
|
|
40.80
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
SILICONIX
|
2 087
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
VISHAY
|
1 588
|
|
|
|
|
SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|