SI5406CDC-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI5406CDC-T1-GE3 (VISHAY.)	124	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI5406CDC-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 6V
Power - Max	5.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1206-8 ChipFET™
Корпус	1206-8 ChipFET™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.