SI3424DV-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI3424DV-T1-E3 (VISHAY)	1 304	16.58

Версия для печати

Технические характеристики SI3424DV-T1-E3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6.7A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Power - Max	1.14W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.