IRF9Z14PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF9Z14PBF (SILICONIX.)	75	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF9Z14PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	270pF @ 25V
Power - Max	43W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF9Z14PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF9Z14PBF datasheet
251.5 Кб