IRLD110PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLD110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2Т201Б | 12 | 315.00 | |||||
|
|
2Т201Б | СВЕТЛАНА | 12 | 344.40 | ||||
|
|
2Т201Б | СВЕТЛАНА-ПОЛУПРОВОДНИКИ |
|
|
||||
|
|
2Т201Б | RUS |
|
|
||||
 |
 |
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 70 |
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | 40 |
|
||
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INFINEON |
|
|
|
 |
|
IRFI1010N |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFI1010N |
|
Транзистор полевой |
|
122.88 | ||
|
|
|
IRFI1010N |
|
Транзистор полевой | INFINEON |
|
|
|
 |
|
L-602G |
|
Светодиод с держателем |
|
60.00 | ||
|
|
|
L-602G |
|
Светодиод с держателем | CPU |
|
|
|
| SPP11N80C3 | INFINEON |
|
|
|||||
| SPP11N80C3 |
|
552.60 | ||||||
| SPP11N80C3 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| SPP11N80C3 | INFINEON |
|
|
