![]() |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
IRLD110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2Т201Б | 12 | 315.00 | |||||
![]() |
2Т201Б | СВЕТЛАНА | 12 | 344.40 | ||||
![]() |
2Т201Б | СВЕТЛАНА-ПОЛУПРОВОДНИКИ |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
2Т201Б | RUS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
![]() |
IRF7319PBF |
![]() |
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF7319PBF |
![]() |
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 70 |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF7319PBF |
![]() |
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | 40 |
![]() |
||
![]() |
![]() |
IRF7319PBF |
![]() |
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFI1010N |
![]() |
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFI1010N |
![]() |
Транзистор полевой |
![]() |
122.88 | ||
![]() |
![]() |
IRFI1010N |
![]() |
Транзистор полевой | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
L-602G |
![]() |
Светодиод с держателем |
![]() |
60.00 | ||
![]() |
![]() |
L-602G |
![]() |
Светодиод с держателем | CPU |
![]() |
![]() |
|
SPP11N80C3 | INFINEON |
![]() |
![]() |
|||||
SPP11N80C3 |
![]() |
552.60 | ||||||
SPP11N80C3 | Infineon Technologies |
![]() |
![]() |
|||||
SPP11N80C3 | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|