IRF9510PBF
МОП-Транзистор, Р-кан, Vси = -100В, Iс = -4A, 43Вт, Rоткр = 1.2Ом, 43Вт
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V |
| Power - Max | 43W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF9510PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
