Версия для печати
Технические характеристики IRLML6246TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 5µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.5nc @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	290pF @ 16V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

IRLML6246TRPBF datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	VISHAY
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB			19.40
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	INTERNATIONAL RECTIFIER	56
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	Vishay/Semiconductors
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SUNTAN
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SMCMICRO	1 650	15.53
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SMC
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	HOTTECH
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	KLS
		10BQ040TR		SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	LGE	647	8.64
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		90 648	1.15
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	2.78
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	367 661	1.22
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	66 904	1.25
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	5 875	1.74
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	19 136	1.13
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	103 132	1.90
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	18 107	1.20
		FNR-20K391			FNR	7 334	18.42
		FNR-20K391				176	35.20
		FNR-20K391			FENGHUA
		FNR-20K391			390V 20MM
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AGILENT TECHNOLOGIES
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AGILENT TECHNOLOGIES
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO TECHNOLOGIES	2 132
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	Avago Technologies US Inc
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	BRO/AVAG
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	BROADCOM
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	BROADCOM/AVAGO	36	12.79
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO/BROAD	36	11.81
		PSW-6A-R			BM	308	193.11
		PSW-6A-R

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"