IRFHS8342TR2PBF
|
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-PowerVQFN |
| Корпус | 6-PQFN (2x2) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HIS0169C |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | SAMSUNG | 1 | 217.80 | ||
|
|
HIS0169C |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | SAM |
|
|
||
|
|
HIS0169C |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | 1 | 396.90 | |||
|
|
HIS0169C |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | США |
|
|
||
|
|
HIS0169C |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
||
|
|
HIS0169C |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | SEC |
|
|
||
|
|
HIS0169C |
|
SMPS упpавление SMR 40200 C | 1 |
|
|
||
 |
IRFH8325TR2PBF |
|
International Rectifier |
|
|
|||
|
|
IRFH9310TR2PBF |
|
International Rectifier |
|
|
|||
| ISL6208CRZ-T | INTERSIL |
|
|
|||||
| ISL6208CRZ-T | INTERSIL |
|
|
|||||
| ISL6208CRZ-T |
|
|
||||||
| ISL6208CRZ-T | RENESAS |
|
|
|||||
 |
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором | CHIN |
|
|
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором | SK |
|
|
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором | CHINA |
|
|
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором |
|
444.00 |
