IRFHS8342TR2PBF
|
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-PowerVQFN |
| Корпус | 6-PQFN (2x2) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3-233-1, РАЗЪЕМ ПИТАНИЯ 5.5X2.1ММ ГН ПЛАСТИК НА КОРПУС С ГАЙКОЙ МЕТЛ | КИТАЙ |
|
|
|||||
| MBRF20150CT | KEC |
|
|
|||||
| MBRF20150CT |
|
|
||||||
 |
SY025M1000B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 20% | YAGEO |
|
|
||
|
|
SY025M1000B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 20% | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
SY025M1000B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В, 20% | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
| ДИХЛОРЭТАН 500 МЛ |
|
|
||||||
| ПАСТА ТЕПЛОПРОВОДНАЯ КПТ-8 10ГР |
|
|
||||||
| ПАСТА ТЕПЛОПРОВОДНАЯ КПТ-8 10ГР | CONNECTR |
|
|
