STN3PF06

Версия для печати

Технические характеристики STN3PF06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STN3PF06 (MOSFET)

P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STN3PF06 datasheet
251.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	PHILIPS
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	DC COMPONENTS	87 551	2.14
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	NXP
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	PHILIPS	7 248
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	KINGTRONIC
BZV55-C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	KINGTRONICS	6 416	1.06
IRLR3717	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLR3717	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER	38
IRLR3717	Hexfet power mosfets discrete n-channel
IRLR3717	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ONS	12 786	13.49
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C		4 152	11.06
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ONSEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	0.00
LP2951ACD-3.3R2G		ON SEMICONDUCTOR	92	79.80
LP2951ACD-3.3R2G		ONS	2 566	47.48
LP2951ACD-3.3R2G
RHRP1560		FAIR
RHRP1560				600.00
RHRP1560		Fairchild Semiconductor
RHRP1560		FAIRCHILD	92
RHRP1560		FSC
RHRP1560		FAIRCHILD
RHRP1560		ONS	5	157.83
RHRP1560		ONS-FAIR
RHRP1560		ON SEMICONDUCTOR