STN1N20
N - channel 200v - 1.2 w - 1a - sot-223 power mos transistor
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MESH OVERLAY™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 206pF @ 25V |
| Power - Max | 2.9W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STN1N20 (MOSFET) N - CHANNEL 200V - 1.2 W - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR
Производитель:
|
