IRFH8325TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN

Версия для печати

Технические характеристики IRFH8325TR2PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	21A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2487pF @ 10V
Power - Max	3.6W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-PowerTDFN
Корпус	PQFN (5x6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFH8325TR2PBF datasheet