MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 26A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 78nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3620pF @ 10V |
Power - Max | 2.7W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-VQFN Exposed Pad |
Корпус | PQFN (3x3) |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1206-X7R-1000PF 10% 50V | Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В | KOME | ||||||
1206-X7R-1000PF 10% 50V | Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В | 2.80 | ||||||
ATTINY85V-10SU | 8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash,512 bytes EEPROM, 512bytes SRAM, 2-ch ... | ATMEL | ||||||
ATTINY85V-10SU | 8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash,512 bytes EEPROM, 512bytes SRAM, 2-ch ... | |||||||
ATTINY85V-10SU | 8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash,512 bytes EEPROM, 512bytes SRAM, 2-ch ... | MICRO CHIP | ||||||
CC1210MKX5R5BB107 | Керамический конденсатор 100 мкФ 6.3 В | YAGEO | 5 912 | 11.28 | ||||
CC1210MKX5R5BB107 | Керамический конденсатор 100 мкФ 6.3 В | |||||||
RC1206FR-07680RL | YAGEO | 522 744 |
0.90 >500 шт. 0.30 |
|||||
RC1206FR-07680RL | ||||||||
TS5A3159DCKR | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TS5A3159DCKR | TEXAS INSTRUMENTS | 231 | ||||||
TS5A3159DCKR | 2 000 | 24.28 | ||||||
TS5A3159DCKR | TEXAS |
|