STP2NK60Z

Версия для печати

Технические характеристики STP2NK60Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 700mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	170pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP2NK60Z (MOSFET)

N-CHANNEL 600V - 7.2? - 1.4A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP2NK60Z datasheet
542.7 Кб