STP30NF10
Транзистор N-Канальный 100V 35A 115W 0,045R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 35A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1180pF @ 25V |
| Power - Max | 115W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STP30NF10 (MOSFET) N-channel 100V - 0.038? - 35A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
CD4504BM |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
CD4504BM |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
CD4504BM |
|
|
|
|||
 |
|
HER308 (3A 1000V) |
|
диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления |
|
|
||
 |
|
HER508 (5A 1000V) |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В |
|
|
||
 |
|
PDTC114ET,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
PDTC114ET,215 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
PDTC114ET,215 |
|
NEXPERIA |
|
|
||
|
|
|
PDTC114ET,215 |
|
NEX | 13 016 | 3.12 | ||
|
|
|
PDTC114ET,215 |
|
NXP/NEXPERIA |
|
|
||
|
|
|
PDTC114ET,215 |
|
NEX-NXP | 62 | 4.41 | ||
|
|
|
PDTC114ET,215 |
|
21 496 | 1.13 | |||
 |
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT | 3 | 203.50 | ||
|
|
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|
|
|
|
UCC37322P |
|
Драйвер FET-IGBT | TEXAS |
|
|
