STD10NM65N


N-channel 650 v, 0.43 ?, 9 a mdmesh™ ii power mosfet dpak

Купить STD10NM65N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STD10NM65N
Версия для печати

Технические характеристики STD10NM65N

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs480 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds850pF @ 50V
Power - Max90W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STD10NM65N (MOSFET)

N-channel 650 V, 0.43 ?, 9 A MDmesh™ II Power MOSFET DPAK

Производитель:
STMicroelectronics

STD10NM65N datasheet
525.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход