STB9NK90Z

Версия для печати

Технические характеристики STB9NK90Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2115pF @ 25V
Power - Max	160W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB9NK90Z (MOSFET)

N-channel 900V - 1.1? - 8A - D2PAK Zener-protected superMESHTM MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB9NK90Z datasheet
479.4 Кб