STP13NM60N
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | MDmesh™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 790pF @ 50V |
| Power - Max | 90W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220 |
| Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.33МКФ50В(5X11) |
|
|
||||||
| 0.33МКФ50В(5X11) | LUXON |
|
|
|||||
| 0.33МКФ50В(5X11) | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
 |
L6565N | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
L6565N |
|
130.68 | |||||
|
|
L6565N | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||||
|
|
L6565N | STMicroelectronics |
|
|
||||
|
|
L6565N | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
L6565N | ST1 |
|
|
||||
 |
|
TDA7560 |
|
Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
TDA7560 |
|
Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD |
|
663.88 | ||
|
|
|
TDA7560 |
|
Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD | СИНГАПУР |
|
|
|
|
|
|
TDA7560 |
|
Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD | ST1 |
|
|
|
|
|
|
TDA7560 |
|
Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD | NXP |
|
|
|
|
|
|
TDA7560 |
|
Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD | STMICROELECTR |
|
|
