IRF5803TRPBF
P-канальный -40В -3.4А Micro6
|
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
| Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZX55-C15 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | DC COMPONENTS | 10 472 | 1.82 | ||||
|
|
BZX55-C15 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | YJ |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 |
|
|
|||||
|
|
BZX55-C15 | YANGJIE |
|
|
||||
|
|
BZX55-C15 | YANGJIE (YJ) |
|
|
||||
| BZX55C24V0 | 608 |
1.76 >100 шт. 0.88 |
||||||
| BZX55C24V0 | БРЕСТ |
|
|
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MUR | 9 756 097 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MURATA | 154 |
1.14 >500 шт. 0.38 |
|||||
| GRM155R71H104KE14D |
|
|
||||||
| GRM155R71H104KE14D | MURATA | 15 483 |
|
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MURA |
|
|
|||||
| IRFH5025TR2 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFH5025TR2 | INFINEON |
|
|
