BSO080P03S

Версия для печати

Технические характеристики BSO080P03S

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	OptiMOS™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 14.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	136nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5890pF @ 25V
Power - Max	1.79W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	PG-DSO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.