ZXMN10A11K

Версия для печати

Технические характеристики ZXMN10A11K

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 2.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	274pF @ 50V
Power - Max	2.11W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	TO-252-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN10A11K (MOSFET)

100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN10A11K datasheet
793.1 Кб