STB180N55F3

Версия для печати

Технические характеристики STB180N55F3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 60A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6800pF @ 25V
Power - Max	330W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB180N55F3 (MOSFET)

N-channel 55V - 3.2m? - 120A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB180N55F3 datasheet
439 Кб