IRFDC20PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFDC20PBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	33	3-4 недели Цена по запросу
IRFDC20PBF (SILICONIX.)	128	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRFDC20PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 Ohm @ 190mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	320mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	4-DIP, Hexdip, HVMDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFDC20PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFDC20PBF datasheet
913.1 Кб