![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Power - Max | 40W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
Корпус | TO-220-3 |
IRFI640GPBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | 16 | 3 500.00 | |||||
![]() |
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | КОМ |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | КОМ1 |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | ЭЛЕКОН |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | КОМ 1 |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | ИСЕТЬ |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | РОССИЯ |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
![]() |
IRG4PSH71KDPBF |
![]() |
International Rectifier |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
IRG4PSH71KDPBF |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
IRG4PSH71KDPBF |
![]() |
INFINEON |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|