IRFHM830DTR2PBF


Купить IRFHM830DTR2PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFHM830DTR2PBF MOSFET N-CH 30V 20A PQFN MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Версия для печати

Технические характеристики IRFHM830DTR2PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C20A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1797pF @ 25V
Power - Max2.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-VQFN Exposed Pad
КорпусPQFN (3x3)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRFHM830DTR2PBF datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  0603 X7R 100NF 16V 10% Конденсатор керамический многослойный 100нФ, 16В   AUX Заказ радиодеталей цена радиодетали
  0603 X7R 100NF 16V 10% Конденсатор керамический многослойный 100нФ, 16В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
1206 10NF X7R 10% 50V Конденсатор чип 1206, 10NF, X7R, 10%, 50V     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1206 1NF 63V       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1206 1NF 63V     LC.C Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BAT760     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BAT760     PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BAT760     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BAT760     PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BAT760       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BAT760     SLKOR 401 2.75 
    IR2101STRPBF     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IR2101STRPBF     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IR2101STRPBF     INFINEON 2 904 63.96 
    IR2101STRPBF       1 168 58.32 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход