SI4425BDY-T1-E3
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КМТ-12-10 КОМ-30% | 63 | 14.08 | ||||||
| С2-29В- 0.25ВТ 100 ОМ 0.25% |
|
|
||||||
| С2-29В-0,125-13 КОМ-0,1% | 433 | 14.08 | ||||||
| С2-29В-0,125-25,5 КОМ-0,1% | 175 | 14.08 | ||||||
| С2-29В-0,125-43,2 КОМ-0,25% | 16 | 15.60 |
