FDS2572
N-channel ultrafet trench mosfet
Технические характеристики FDS2572
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | UltraFET™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 4.9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru