FDS2572


N-channel ultrafet trench mosfet

FDS2572 (заказ)
FDS2572

Технические характеристики FDS2572

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUltraFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs47 mOhm @ 4.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2050pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
Product Change NotificationCu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru