STB300NH02L

Версия для печати

Технические характеристики STB300NH02L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 80A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	109.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7055pF @ 15V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB300NH02L (MOSFET)

N-channel 24V - 120A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB300NH02L datasheet
327.3 Кб