FDG312P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDG312P (FAIRCHILD.)	7 734	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDG312P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 10V
Power - Max	480mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SC-70-6
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDG312P (Мощные полевые МОП транзисторы)

P-channel 2.5v Specified Powertrench Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDG312P datasheet
208.11Kb
8стр.