FDG327N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDG327N (FAIRCHILD.)	377	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDG327N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	423pF @ 10V
Power - Max	380mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SC-70-6
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDG327N (MOSFET)

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDG327N datasheet
79.8 Кб