FQP3N30

Версия для печати

Технические характеристики FQP3N30

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 1.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	230pF @ 25V
Power - Max	55W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP3N30 (MOSFET)

300V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP3N30 datasheet
708 Кб