FQPF11P06
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 4.3A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Power - Max | 30W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQPF11P06 (P-канальные транзисторные модули) 60v P-channel Mosfet
Производитель:
|
