Транзистор MOSFET , N- канальный |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | QFET™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V |
Power - Max | 33W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
Корпус | TO-220F |
Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
FQPF5N60C (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZT968TA | Транзистор структуры PNP -12В, 6A, 3Вт , 80МГц | Diodes/Zetex | ||||||
FZT968TA | Транзистор структуры PNP -12В, 6A, 3Вт , 80МГц | |||||||
FZT968TA | Транзистор структуры PNP -12В, 6A, 3Вт , 80МГц | DIODES | ||||||
G4A01216C | THERMODISC | |||||||
G4A01216C | THERMODISC | |||||||
HER207 (2A 800V) | ||||||||
UBA2021P/N2,112 | NXP Semiconductors | |||||||
UBA2021P/N2,112 | NXP | 6 796 | ||||||
С2-10-0,5-20,5 ОМ-0,5% |
|